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NP100P06PLG-E1-AY
1个P沟道 耐压:60V 电流:100A
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- 描述
- 这是一款专为大电流开关应用设计的P沟道MOS场效应晶体管。
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP100P06PLG-E1-AY
- 商品编号
- C6943065
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.8W；200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 300nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
本产品为P沟道MOS场效应晶体管，专为大电流开关应用而设计。
商品特性
- 超低导通电阻:RDS(on)最大为6.0 mΩ(VGS = -10 V,ID = -50 A)
- RDS(on)最大为7.8 mΩ(VGS = -4.5 V,ID = -50 A)
- 低输入电容:Ciss典型值为15000 pF
- 内置栅极保护二极管
- 专为汽车应用设计,符合AEC-Q101标准
- 无铅(该产品外部电极不含铅)
应用领域
- 汽车领域
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