NP23N06YDG-E1-AY
1个N沟道 耐压:60V 电流:23A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP23N06YDG-E1-AY
- 商品编号
- C6943067
- 商品封装
- HSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W；60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
CMSA6264采用沟槽MOSFET技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于RDS(ON)、Ciss和Coss极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 最大漏源导通电阻(RDS(on)) = 27 mΩ(栅源电压VGS = 10 V,漏极电流ID = 11.5 A)
- 低导通电阻
- 低输入电容Ciss:典型值Ciss = 1200 pF(漏源电压VDS = 25 V,栅源电压VGS = 0 V)
- 逻辑电平驱动类型
- 专为汽车应用设计,符合AEC - Q101标准
- 采用8引脚HSON小尺寸封装
应用领域
- DC-DC转换器
- 电机驱动
- 动力系统管理