CY15B108QN-50BKXIT

EXCELON LP CY15X108QN是一款低功耗、8兆比特非易失性存储器，采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器（F-RAM）具有非易失性，其读写操作类似于RAM。它在提供151年可靠数据保持的同时，消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，CY15X108QN以总线速度执行写操作，无写入延迟。数据在成功传输到器件后立即写入存储阵列，无需数据轮询即可开始下一个总线周期。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有极高的写入耐久性，能够支持10^15次读/写周期，比EEPROM多10亿倍。这些特性使其成为需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用的理想选择，应用范围从写入次数可能至关重要的数据采集，到因串行闪存或EEPROM写入时间长可能导致数据丢失的严苛工业控制领域。CY15X108QN作为硬件直接替换方案，为串行EEPROM或闪存用户带来显著优势。该器件采用高速SPI总线，增强了F-RAM技术的高速写入能力。器件包含只读器件ID和ID功能，允许主机确定制造商、产品密度、产品版本以及每个部件的ID。器件还提供可写的8字节序列号寄存器，可用于识别特定板卡或系统。

• 8兆比特铁电随机存取存储器（F-RAM），逻辑组织为1024K × 8
• 近乎无限的耐久性：1000万亿（10^15）次读/写
• 151年数据保持时间
• Infineon即时非易失性写入技术
• 先进的高可靠性铁电工艺
• 快速SPI（FSPI）
• 频率高达50 MHz
• 支持SPI模式0（0， 0）和模式3（1， 1）
• 完善的写保护方案
• 使用写保护（WP）引脚进行硬件保护
• 使用写禁止（WRDI）指令进行软件保护
• 针对1/4、1/2或整个阵列的软件块保护
• 器件ID和序列号
• 制造商ID和产品ID
• 器件ID
• 序列号
• 专用的256字节特殊扇区F-RAM
• 专用的特殊扇区写入和读取
• 存储内容可经受最多三次标准回流焊接循环
• 低功耗消耗
• 50 MHz下典型工作电流为2.8 mA
• 典型待机电流为7.5 μA
• 典型深度掉电模式电流为0.9 μA
• 典型休眠模式电流为0.1 μA
• 低电压操作
• CY15V108QN：VDD = 1.71 V 至 1.89 V
• CY15B108QN：VDD = 1.8 V 至 3.6 V
• 工作温度
• 工业温度（I）：-40℃ 至 +85℃
• 封装
• 24球细间距球栅阵列（24球FBGA）
• 符合有害物质限制（RoHS）规定