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MEM2313SG
2个P沟道 耐压:30V 电流:6A
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- 描述
- P沟道,-30V,-6A,52mΩ@-10V
- 品牌名称
- MICRONE(南京微盟)
- 商品型号
- MEM2313SG
- 商品编号
- C7380
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
商品概述
MEM2313SG系列双P沟道增强型场效应晶体管，采用高单元密度DMOS沟槽技术制造，该技术专门用于最小化导通电阻。此器件特别适用于低电压。
商品特性
- -30V / -6A
- 当VGS = -10V、ID = -6A时，RDS(ON) = 52mΩ
- 当VGS = -4.5V、ID = -4A时，RDS(ON) = 67mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 表面贴装封装：SOP8
应用领域
- 电源管理
- 负载开关
- 电池保护