商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W；125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装。在现有的任何表面贴装封装中，它提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，并且在典型的表面贴装应用中可散热高达2.0 W。通孔版本（IRF9640L、SiHF9640L）适用于薄型应用。
商品特性
- 根据IEC 61249 - 2 - 21定义为无卤产品
- 表面贴装
- 提供卷带包装
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- P沟道
- 快速开关
- 易于并联
- 符合RoHS指令2002/95/EC