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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF9Z34STRRPBF

1个P沟道 耐压:60V 电流:18A

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRF9Z34STRRPBF
商品编号
C6883765
商品封装
D2PAK(TO-263)​
包装方式
编带
商品毛重
1.845克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))140mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)88W;3.7W
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)34nC@10V
输入电容(Ciss)1.1nF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

第三代功率MOSFET采用先进的加工技术,实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势,再结合功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,为设计师提供了一种极其高效可靠的器件,可用于各种应用场景。 D2PAK是一种表面贴装功率封装,能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。它在现有的任何表面贴装封装中,具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低,D2PAK适用于大电流应用,在典型的表面贴装应用中可散热达2.0 W。

商品特性

-先进的工艺技术-表面贴装(IRF9Z34S、SiHF9Z34S)-工作温度175°C-快速开关-P沟道-全雪崩额定

应用领域

  • 单向和双向 DC-DC 转换器
  • 车载电池充电器

数据手册PDF