嘉立创上市
购物车0
CMS25NN03V8-HF引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMS25NN03V8-HF

CMS25NN03V8-HF

品牌名称
Comchip(典琦)
商品型号
CMS25NN03V8-HF
商品编号
C6883182
商品封装
PDFN-8(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.107克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))20mΩ@10V
耗散功率(Pd)20.8W
阈值电压(Vgs(th))1.8V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)7.2nC
输入电容(Ciss)572pF
反向传输电容(Crss)65pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)81pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

BLM9D2327 - 25B是一款采用安谱隆(Ampleon)先进的GEN9 LDMOS技术的两级全集成Doherty MMIC解决方案。载波和峰值器件、输入功分器和输出合路器集成在单个封装中。这款多频段器件非常适合作为2300 MHz至2700 MHz频率范围内的通用驱动器或小基站末级放大器。采用PQFN封装。

商品特性

  • 先进的高单元密度沟槽技术。
  • 超低栅极电荷。
  • 出色的cdv/dt效应抑制能力。
  • 提供环保型器件。
  • 100%确保具有抗雪崩能力。

应用领域

  • 适用于2300 MHz至2700 MHz频率范围内多载波、多标准GSM、W - CDMA和LTE基站的射频功率MMIC。

数据手册PDF