商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.5V | |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 | |
| 特征频率(fT) | 25MHz | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
中央半导体（CENTRAL SEMICONDUCTOR）的 TIP110、TIP115 系列产品为互补硅功率达林顿晶体管，适用于低速开关和放大器应用。
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.5V | |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 | |
| 特征频率(fT) | 25MHz | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |
中央半导体（CENTRAL SEMICONDUCTOR）的 TIP110、TIP115 系列产品为互补硅功率达林顿晶体管，适用于低速开关和放大器应用。