TCK422G,L3F

TCK42xG系列是用于外部N沟道MOSFET的过压保护栅极驱动IC。该产品支持MOSFET在2.7 V至28 V的宽电压线路中运行，并具备多种过压锁定配置。其特性包括低待机电流（小于1 μA）、内置电荷泵电路和MOSFET栅源保护电路。封装采用非常小巧轻薄的WCSP6G（典型尺寸为1.2 mm×0.8 mm，最大厚度为0.35 mm）。因此，它适用于移动设备、可穿戴系统以及负载开关应用等电源管理电路。

• 用于N沟道共漏MOSFET的栅极驱动器
• 用于N沟道单高端MOSFET的栅极驱动器
• 高最大输入电压：V_IN_max = 40 V
• 宽输入电压工作范围：V_IN = 2.7至28 V
• 栅源保护电路
• 过压锁定：V_IN_OVLO典型值为6.31 V、10.83 V、14.29 V、23.26 V和27.73 V
• 欠压锁定：V_IN_UVLO典型值为2.0 V
• 内置电荷泵电路：栅源电压V_GS典型值为5.6 V和10 V
• 低待机电流：在V_IN = 12 V时，I_Q(OFF)最大为0.9 μA（TCK424G和TCK425G除外）

• 用于移动设备、可穿戴设备和物联网设备的负载开关电路