商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边;高边 | |
| 负载类型 | MOSFET;IGBT | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 15A | |
| 拉电流(IOH) | 15A | |
| 工作电压 | 12V~16V | |
| 上升时间(tr) | 40ns | |
| 下降时间(tf) | 40ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 过流保护(OCP);短路保护(SCP) | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 功能特性 | 过流保护 |
商品概述
IGD515EI系列智能门极驱动核心是专为IGBT和功率MOSFET设计的单通道驱动组件。其开发旨在精确可靠地驱动和保护大功率模块、高压模块以及串联和并联电路。该驱动器的驱动信息和状态确认通过外部光纤链路传输。驱动器集成了具有高隔离测试电压的DC/DC转换器。特殊的逻辑功能支持实现采用IGBT或功率MOSFET的可靠串联电路。
应用领域
- 牵引
- 功率转换器
- 电机驱动
- 开关电源
- 风电转换器

