- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 167W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.852nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 222pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 487pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
商品概述
采用TrenchMOS技术、LFPAK56(Power SO8)封装的逻辑电平N沟道MOSFET。本产品已根据AEC Q101标准进行设计和认证,适用于高性能汽车应用。
商品特性
- 符合Q101标准
- 具备重复雪崩额定值
- 额定温度达175°C,适用于对散热要求高的环境
- 真正的逻辑电平栅极,在175°C时VGS(th)额定值大于0.5 V
应用领域
- 12 V汽车系统
- 电机、灯具和螺线管控制
- 变速器控制
- 超高性能功率开关