BUK9Y40-55B/C3,115

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220AB封装在功率耗散水平约为50 W的所有商业 - 工业应用中普遍受到青睐。TO - 220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。

• 完全符合AEC - Q101汽车级标准
• 额定温度175 °C,适用于对散热要求高的环境
• 沟槽9超结技术:
  • 减小的单元间距可在相同封装尺寸下实现更高的功率密度和效率,同时降低导通电阻RDSon
  • 与标准沟槽MOS相比,改善了安全工作区和雪崩能力
  • 紧密的VGS(th)限值使MOSFET易于并联
• LFPAK鸥翼引脚:
  • 具有高电路板级可靠性,在热循环过程中能吸收机械应力,这与传统QFN封装不同
  • 可进行目视(自动光学检测)焊接检查,无需昂贵的X射线设备
  • 易于焊接,可形成良好的机械焊点
• LFPAK铜夹技术:
  • 提高了可靠性,降低了热阻Rth和导通电阻RDSon
  • 增加了最大电流能力,改善了电流分布

• 12 V汽车系统
• 电机、灯具和电磁阀控制
• 启停微混合动力应用
• 变速箱控制
• 超高性能功率开关