BSS84KT-TP
1个P沟道 耐压:60V 电流:260mA
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- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- BSS84KT-TP
- 商品编号
- C6869215
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 270mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 32pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
适用于基站应用的550 W LDMOS封装非对称多尔蒂功率晶体管,工作频率范围为1805 MHz至1880 MHz。
商品特性
- 静电放电(ESD)防护高达2KV(人体模型,HBM)
- 低逻辑电平栅极驱动操作
- 低导通电阻(RDS(on))的P沟道开关
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 湿气敏感度等级1级
- 无卤“绿色”器件
- 无铅涂层/符合RoHS标准(后缀“P”表示符合RoHS标准)
应用领域
- 用于1805 MHz至1880 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器
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