BLS9G2729L-350U

碳化硅 (SiC) 是适用于更高开关频率、更高效率和更高功率（>650V）应用的理想技术。与硅 MOSFET 和 IGBT 解决方案相比，SiC MOSFET 和 SiC 肖特基势垒二极管产品线可提高系统效率，同时通过实现系统小型化以及采用更小/成本更低的散热方案来降低总体拥有成本。 超快、低栅极电荷的 MOSFET 系列将业内最低的栅极电荷与 Microchip 专有的自对准铝金属栅极结构相结合。其结果是，该 MOSFET 能够实现极快的开关速度和极低的开关损耗。这些芯片的金属栅极结构和布局提供的内部串联栅极电阻 (EGR) 比采用多晶硅栅极的竞争器件低一个数量级。这些器件非常适合高频和脉冲高压应用。

• 高效率
• 出色的耐用性
• 专为S波段操作设计
• 出色的热稳定性
• 易于功率控制
• 集成双面ESD保护,实现出色的关态隔离
• 脉冲格式灵活性高
• 内部匹配,使用方便
• 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令

• 2.7 GHz至2.9 GHz频率范围的S波段雷达应用