BLF6G22LS-40P,118

Power MOS 8TM 是一款高速、高压 N 沟道开关模式功率 MOSFET。专有的平面条纹设计具有出色的可靠性和可制造性。低输入电容和超低 Crss“米勒”电容实现了低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于控制开关期间的转换速率，即使在非常高的频率下进行开关操作，也能实现低电磁干扰 (EMI) 和可靠的并联。高雪崩能量能力提高了反激、升压、正激等电路的可靠性。

• 平均输出功率 = 17 W
• 增益 = 18.7 dB
• 效率 = 30.5%
• 三阶互调失真(IMD3) = -37.5 dBc
• 邻道功率比(ACPR) = -41.5 dBc
• 易于功率控制
• 集成静电放电(ESD)保护
• 出色的耐用性
• 高效率
• 出色的热稳定性
• 专为宽带操作设计(2000 MHz至2200 MHz)
• 内部匹配,使用方便
• 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令

• 用于2000 MHz至2200 MHz频率范围的W-CDMA基站和多载波应用的射频功率放大器