GS81314LQ19GK-933I
GS81314LQ19GK-933I
- 品牌名称
- 广船国际技术
- 商品型号
- GS81314LQ19GK-933I
- 商品编号
- C6867356
- 商品封装
- BGA-260(14x22)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置ECC功能;边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
SigmaQuad - IVe ECCRAM是高性能ECCRAM系列SigmaQuad - IVe/SigmaDDR - IVe中具有独立I/O的产品。尽管与GSI第三代网络SRAM(SigmaQuad - IIIe/SigmaDDR - IIIe系列)相似,但这些第四代设备提供了几个新特性,有助于显著提高性能。GSI的ECCRAM实现了一种ECC算法,可检测和纠正所有单比特内存错误,包括由宇宙射线、α粒子等SER事件引起的错误。这些设备的软错误率预计小于0.002 FITs/Mb,比没有片上ECC的同类SRAM(通常SER为200 FITs/Mb或更高)有5个数量级的改进。
商品特性
- 提供4Mb x 36和8Mb x 18两种组织架构
- 组织为单个逻辑存储体
- 最大工作频率为933 MHz
- 峰值事务率为1.866 BT/s(每秒十亿次)
- 在x36设备中,峰值数据带宽为134 Gb/s
- 独立的I/O DDR数据总线
- 非多路复用的DDR地址总线
- 每个时钟周期可执行读取和写入两次操作
- 读取和写入操作无地址或存储体限制
- 支持2次操作的读取和写入突发
- 读取延迟为5周期
- 集成片上ECC,软错误率几乎为零
- 具备环回信号定时训练能力
- 标称核心电压为1.25V ~ 1.3V
- HSTL I/O接口电压为1.2V ~ 1.3V
- 配备配置寄存器
- 支持可配置的片上终端
- 提供ZQ引脚用于可编程驱动器阻抗
- 提供ZT引脚用于可编程ODT阻抗
- 符合IEEE 1149.1 JTAG标准的边界扫描
- 采用260引脚、14mm × 22mm尺寸、1mm球间距、符合6/6 RoHS标准的BGA封装
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