FQP13N50C-G
1个N沟道 耐压:500V 电流:13A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP13N50C-G
- 商品编号
- C6858708
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 480mΩ@10V,6.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 195W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.055nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 功率MOS V型MOSFET
- 低导通电阻（RDSon）
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 具备雪崩能量额定值
- 非常坚固耐用
- 开尔文源极，便于驱动
- 极低的杂散电感
- 对称设计
- M5功率连接器
- 高集成度
应用领域
- 交流和直流电机控制
- 开关模式电源
- 功率因数校正