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ESD7551N2T5G
ESD 3.3V截止
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- 描述
- ESD保护二极管
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- ESD7551N2T5G
- 商品编号
- C730370
- 商品封装
- X2DFN-2(0.6x1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 13V | |
| 击穿电压 | 5V | |
| 反向电流(Ir) | 50nA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.35pF |
商品概述
ESD7551旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合用于电路板空间有限的设计中的ESD保护。由于其电容极低，该器件非常适合用于高频设计，如USB 2.0高速和天线线路应用。
商品特性
- 超低电容（最大0.35 pF）
- 低钳位电压
- 耐受电压：3.3 V
- 低泄漏
- 响应时间 < 1 ns
- 低动态电阻 < 1 Ω
- 符合以下标准的保护：IEC 61000-4-2（4级）和ISO 10605
- SZESD7551MXWT5G - 可焊侧翼封装，便于进行最佳自动光学检测（AOI）
- 适用于汽车和其他需要特定产地和控制变更要求的应用的SZ前缀；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准
应用领域
- RF信号ESD保护
- RF开关、功率放大器（PA）和天线ESD保护
- 近场通信
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