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NSBC114YPDP6T5G
互补偏置电阻晶体管，集成偏置电阻网络，简化电路设计，减少电路板空间和元件数量
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSBC114YPDP6T5G
- 商品编号
- C730373
- 商品封装
- SOT-963-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 231mW | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | 80 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 800mV@1mA,200mV；900mV@1mA,200mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 300mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | 13kΩ | |
| 电阻比率 | 0.25 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV@10mA,0.3mA | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
商品概述
该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个单晶体管和由两个电阻组成的单片偏置网络，即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。BRT通过将这些独立元件集成到单个器件中，从而省去了这些元件。使用BRT可降低系统成本并节省电路板空间。
商品特性
- 简化电路设计
- 节省电路板空间
- 减少元件数量
- 适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用的S和NSV前缀；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力*
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准
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