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PNMUT20V06
1个N沟道
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- 描述
- 增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻。
- 品牌名称
- Prisemi(芯导)
- 商品型号
- PNMUT20V06
- 商品编号
- C6807701
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039394克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 135pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 23pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
增强型MOS管具有极高的单元密度和低导通电阻。