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MC33GD3100EKR2

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品牌名称: NXP(恩智浦)
商品型号: MC33GD3100EKR2
商品编号: C729090
商品封装: SOIC-32-300mil
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

MC33GD3100 是一款先进的单通道栅极驱动器，适用于 IGBT 和 SiC 功率器件。集成的电流隔离和低导通电阻驱动晶体管可提供高充放电电流、低动态饱和电压和轨到轨栅极电压控制。电流和温度感应功能可在故障期间将 IGBT 的应力降至最低。精确且可配置的欠压锁定 (UVLO) 功能在确保足够的栅极驱动电压裕量的同时提供保护。 MC33GD3100 可自主管理严重故障，并通过 INTB 引脚和 SPI 接口报告故障和状态。它能够直接驱动大多数 IGBT 和 SiC MOSFET 的栅极。其具备自测、控制和保护功能，适用于高可靠性系统 (ASIL C/D) 的设计。它满足汽车应用的严格要求，并且完全符合 AEC - Q100 1 级标准。

MC33GD3100 是一款先进的单通道栅极驱动器，适用于 N 沟道功率 IGBT 和 SiC MOSFET。集成的电流隔离和低导通电阻驱动晶体管可提供高充放电电流、低动态饱和电压和轨到轨栅极电压控制。集电极电流、集电极 - 发射极电压以及 IGBT/SiC 温度感应功能可在故障期间将 IGBT/SiC 的应力降至最低。 MC33GD3100 可自主管理严重故障，并通过 INTB 引脚和 SPI 接口报告故障和状态。它能够直接驱动大多数 IGBT 和 SiC MOSFET 的栅极。其具备自测、控制和保护功能，适用于高可靠性系统 (ASIL/SIL) 的设计。

商品特性

具备 SPI 接口，用于安全监控、可编程性和灵活性
低传播延迟和最小的 PWM 失真
集成电流信号隔离（高达 8 kV）
集成栅极驱动功率级，能够提供 15 A 的峰值源电流和灌电流
完全可编程的有源米勒钳位
与负栅极电源兼容
与电流感应和温度感应 IGBT 兼容
集成软关断、两级关断、有源钳位和分段驱动以实现波形整形
共模瞬态抗扰度 (CMTI) > 100 V/ns
与 200 V 至 1700 V 的 IGBT/SiC 兼容，功率范围 > 125 kW
工作温度范围为 -40 ℃ 至 125 ℃
外部爬电距离 (CPG)：>7.8 mm
工作频率 >40 kHz
提供 5.0 V 或 3.3 V 逻辑接口版本
通过 ASIL D ISO26262 功能安全要求认证，具备全面诊断功能
具备电流、DESAT 和温度感应输入以及 ADC 报告功能，用于 IGBT/SiC 监控
快速短路保护、过流保护、温度警告和关断功能
中断引脚，可对故障做出快速响应
内置所有模拟和数字电路的自检功能
对芯片间通信进行连续看门狗监控
强制实施死区时间
对低压侧和高压侧的所有电源进行过压和欠压监控
低压侧和高压侧均具备故障安全状态管理引脚
对 VGE 进行逐周期实时监控
符合 DIN V VDE V 0884 - 10 标准的加强隔离
符合 UL 1577 标准，可承受 5000 V rms（1 分钟）的隔离电压
符合 CSA 组件验收通知 5A
通过 AEC - Q100 1 级汽车认证

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	15A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	15A
	工作电压	5V
	上升时间(tr)	-
	工作温度	-40℃~+125℃@(Ta)