MC33GD3100EK
MC33GD3100EK
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- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- MC33GD3100EK
- 商品编号
- C729091
- 商品封装
- SOIC-32-300mil
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET;IGBT | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 15A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 15A | |
| 工作电压 | 5V | |
| 上升时间(tr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Ta) |
商品概述
MC33GD3100 是一款先进的单通道栅极驱动器,适用于 IGBT 和 SiC 功率器件。集成的电流隔离和低导通电阻驱动晶体管可提供高充放电电流、低动态饱和电压和轨到轨栅极电压控制。 电流和温度感应功能可在故障期间将 IGBT 的应力降至最低。精确且可配置的欠压锁定 (UVLO) 功能在确保足够的栅极驱动电压裕量的同时提供保护。 MC33GD3100 可自主管理严重故障,并通过 INTB 引脚和 SPI 接口报告故障和状态。它能够直接驱动大多数 IGBT 和 SiC MOSFET 的栅极。其具备自测、控制和保护功能,适用于高可靠性系统 (ASIL C/D) 的设计。它满足汽车应用的严格要求,并且完全符合 AEC - Q100 1 级标准。
MC33GD3100 是一款先进的单通道栅极驱动器,适用于 N 沟道功率 IGBT 和 SiC MOSFET。集成的电流隔离和低导通电阻驱动晶体管可提供高充放电电流、低动态饱和电压和轨到轨栅极电压控制。集电极电流、集电极 - 发射极电压以及 IGBT/SiC 温度感应功能可在故障期间将 IGBT/SiC 的应力降至最低。 MC33GD3100 可自主管理严重故障,并通过 INTB 引脚和 SPI 接口报告故障和状态。它能够直接驱动大多数 IGBT 和 SiC MOSFET 的栅极。其具备自测、控制和保护功能,适用于高可靠性系统 (ASIL/SIL) 的设计。
商品特性
- 具备 SPI 接口,用于安全监控、可编程性和灵活性
- 低传播延迟和最小的 PWM 失真
- 集成电流信号隔离(高达 8 kV)
- 集成栅极驱动功率级,能够提供 15 A 的峰值源电流和灌电流
- 完全可编程的有源米勒钳位
- 与负栅极电源兼容
- 与电流感应和温度感应 IGBT 兼容
- 集成软关断、两级关断、有源钳位和分段驱动以实现波形整形
- 共模瞬态抗扰度 (CMTI) > 100 V/ns
- 与 200 V 至 1700 V 的 IGBT/SiC 兼容,功率范围 > 125 kW
- 工作温度范围为 -40 ℃ 至 125 ℃
- 外部爬电距离 (CPG):>7.8 mm
- 工作频率 >40 kHz
- 提供 5.0 V 或 3.3 V 逻辑接口版本
- 通过 ASIL D ISO26262 功能安全要求认证,具备全面诊断功能
- 具备电流、DESAT 和温度感应输入以及 ADC 报告功能,用于 IGBT/SiC 监控
- 快速短路保护、过流保护、温度警告和关断功能
- 中断引脚,可对故障做出快速响应
- 内置所有模拟和数字电路的自检功能
- 对芯片间通信进行连续看门狗监控
- 强制实施死区时间
- 对低压侧和高压侧的所有电源进行过压和欠压监控
- 低压侧和高压侧均具备故障安全状态管理引脚
- 对 VGE 进行逐周期实时监控
- 符合 DIN V VDE V 0884 - 10 标准的加强隔离
- 符合 UL 1577 标准,可承受 5000 V rms(1 分钟)的隔离电压
- 符合 CSA 组件验收通知 5A
- 通过 AEC - Q100 1 级汽车认证
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