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SL100N03R
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 此功率MOSFET采用先进的沟槽技术生产。该器件具有出色的栅极电荷和导通电阻RDS(on) ，可显著降低开关和传导损耗。因此，它非常适合用于AC/DC电源转换、负载开关和工业电源应用。
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL100N03R
- 商品编号
- C6800610
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1254克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 330pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压 VDS = 30V,漏极电流 ID = 100A
- 栅源电压 VGS = 10V 时,导通电阻 RDS(on) 典型值为 2.9mΩ
- 栅源电压 VGS = 4.5V 时,导通电阻 RDS(on) 典型值为 4.8mΩ
- 品质因数 RDS(on) × Qgd 较低
- 经过 100% 雪崩测试
- 易于使用和驱动
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 电源管理
- PWM 应用
- 负载开关