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SL90N03R
1个N沟道 耐压:30V 电流:90A
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- 描述
- 该功率MOSFET采用先进的沟槽技术制造。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL90N03R
- 商品编号
- C6800612
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1268克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的沟槽（TRENCH）技术制造。该先进技术经过特别设计，可最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30 V,漏极电流(ID) = 90 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V时,典型导通电阻RDS(ON) = 4.2 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V时,典型导通电阻RDS(ON) = 5.6 mΩ
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 脉宽调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理
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