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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 100W |
商品概述
Power MOS 7是新一代低损耗、高压N沟道增强型功率MOSFET。通过显著降低RDS(ON)和Qg，Power MOS 7解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7结合了更低的导通和开关损耗，以及APT专利金属栅极结构固有的极快开关速度。
商品特性
- 更低的输入电容
- 更低的米勒电容
- 更低的栅极电荷Qg
- 更高的功率耗散
- 更易于驱动
- 采用流行的SOT - 227封装