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APT8024JLL
耐压:800V 电流:29A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT8024JLL
- 商品编号
- C6798097
- 商品封装
- SOT-227-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 50克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 460W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.67nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
Power MOS 7是新一代低损耗、高压N沟道增强型功率MOSFET。通过显著降低RDS(ON)和Qg,Power MOS 7解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7结合了更低的导通和开关损耗,以及APT专利金属栅极结构固有的极快开关速度。
商品特性
- 更低的输入电容
- 更低的米勒电容
- 更低的栅极电荷Qg
- 更高的功率耗散
- 更易于驱动
- 采用流行的SOT - 227封装
应用领域
- 高频开关模式电源-基于半桥的电子镇流器-LED电源