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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ZTX751QSTZ

ZTX751QSTZ

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
ZTX751QSTZ
商品编号
C6760897
包装方式
盒装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)2A
集射极击穿电压(Vceo)60V
耗散功率(Pd)1W
属性参数值
直流电流增益(hFE)100@500mA,2V
特征频率(fT)140MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))-
工作温度-55℃~+200℃@(Tj)

商品特性

  • 集电极 - 发射极击穿电压(BVCEO)> -60V
  • 集电极连续电流(IC)= -2A(高值)
  • 集电极脉冲峰值电流(ICM)= -6A
  • 最高结温(TJ)达 +200°C,适用于高温工作
  • 集电极 - 发射极饱和电压低,在 -1A 时 < -0.3V
  • 功率耗散(PD)= 1W
  • 完全无铅,完全符合 RoHS 标准
  • 无卤和无锑,“绿色”器件
  • 通过 AEC - Q101 标准认证,具备高可靠性
  • 可提供生产件批准程序(PPAP)文件

数据手册PDF