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三极管(BJT)
ZTX853QSTZ
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此图展示了型号为 ZTX853QSTZ 的引脚布局
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此图展示了型号为 ZTX853QSTZ 的焊盘布局
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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对比
ZTX853QSTZ
ZTX853QSTZ
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
ZTX853QSTZ
商品编号
C6760906
包装方式
盒装
商品毛重
1克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
三极管(BJT)
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
4A
集射极击穿电压(Vceo)
100V
耗散功率(Pd)
1.2W
属性
参数值
直流电流增益(hFE)
100@2A,2V
特征频率(fT)
130MHz
集电极截止电流(Icbo)
50nA
集射极饱和电压(VCE(sat))
200mV
工作温度
-55℃~+200℃@(Tj)
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