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XP161A1265PR
1个N沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- N- 沟道功率 MOSFET 具有低导通电阻和超高速开关特性。由于可以进行高速开关，因此可以高效设置 IC 从而节省能源。内置栅极保护二极管以防止静电损坏。小型 SOT-89 封装使高密度安装成为可能。
- 品牌名称
- TOREX(特瑞仕)
- 商品型号
- XP161A1265PR
- 商品编号
- C6758333
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137505克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
XP161A1265PR是一款N沟道功率MOSFET,具有低导通电阻和超高速开关特性。由于能够实现高速开关,因此可高效设置IC,从而节约能源。内置栅极保护二极管,可防止静电损坏。小型SOT - 89封装可实现高密度安装。
商品特性
- 低导通电阻:Vgs = 4.5V时,Rds(on)=0.055Ω
- Vgs = 2.5V时,Rds(on)=0.095Ω
- 超高速开关
- 内置栅极保护二极管
- 驱动电压:2.5V
- N沟道功率MOSFET
- DMOS结构
- 封装:SOT - 89
应用领域
-笔记本电脑-手机和便携式电话-车载电源-锂离子电池系统
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