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XPW4R10ANB,L1XHQ

XPW4R10ANB,L1XHQ

品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
XPW4R10ANB,L1XHQ
商品编号
C6758344
商品封装
DSOPADVANCE-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.566667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)70A
导通电阻(RDS(on))3.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)170W
阈值电压(Vgs(th))3.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)75nC
输入电容(Ciss)4.97nF
反向传输电容(Crss)300pF
类型N沟道
输出电容(Coss)1.94nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

一款适用于 915 MHz 工业应用的 500 W LDMOS 功率晶体管。BLF0910H6L500 和 BLF0910H6LS500 专为高功率连续波应用而设计,并采用高性能陶瓷封装。

商品特性

  • 通过 AEC-Q101 认证
  • 小型薄封装
  • 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.4 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
  • 低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)
  • 增强型:Vth = 2.5 至 3.5 V(VDS = 10 V,ID = 1.0 mA)

应用领域

  • 汽车电机驱动器
  • 开关稳压器

数据手册PDF