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NCE30H10-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:98A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有良好的性能稳定性和可靠性，采用Trench工艺制造，适用于电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。TO220；N—Channel沟道,30V；120A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NCE30H10-VB
- 商品编号
- C725120
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
| 功率(Pd) | 175W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 81.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 3.1nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 370pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |