1个P沟道 耐压:60V 电流:7A
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- 10+: ¥2.641 ¥2.78
- 30+: ¥2.3845 ¥2.51
- 100+: ¥2.071 ¥2.18
- 500+: ¥1.748 ¥1.84
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¥1.6625 ¥1.75 (折合1圆盘4375元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 7A | |
功率(Pd) | 10.4W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 55mΩ@10V,3A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 19nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.5nF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 150pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |