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IRFR3709ZTR-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFR3709ZTR-VB
- 商品编号
- C725082
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.392克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 5.201nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 770pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合欧盟2011/65/EU号RoHS指令
应用领域
- 或门逻辑
- 服务器
- 直流-直流转换