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IRF5802TR-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:3.2A
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- 描述
- 特性：无卤（根据IEC 61249-2-21定义）。 TrenchFET功率MOSFET。 低导通电阻。 100% Rg测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：DC/DC转换器、高速开关
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF5802TR-VB
- 商品编号
- C725069
- 商品封装
- TSOP-6-1.5mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V；105mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 424pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟道型场效应功率MOSFET
- 低导通电阻
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 直流-直流转换器-高速开关