HAT1020RJ-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺,用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域,包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8;P—Channel沟道,-30V;-5.8A;RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-0.7~-2V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
HAT1020RJ-VB商品编号
C725054商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.205克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
功率(Pd) | 2.5W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 700mV@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 24nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | - | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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