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FDT434P-VB
1个P沟道 耐压:35V 电流:6.2A
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDT434P-VB
- 商品编号
- C725043
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 35V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 970pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 栅极电阻(Rg)测试
- 100% 非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
-负载开关、适配器开关-笔记本电脑