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CMD50P03-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET器件，采用Trench工艺制造，适用于各种电源管理应用场景。TO252；P—Channel沟道,-30V；-60A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- CMD50P03-VB
- 商品编号
- C725007
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 127W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 240nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 715pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 符合欧盟2002/95/EC号RoHS指令
- 符合RoHS标准
- 合规