FDD3N50NZTM-VB
1个N沟道 耐压:650V 电流:4.5A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应晶体管,采用Plannar技术,适用于电源逆变器、电动汽车充电桩、UPS系统、风能和太阳能逆变器、工业自动化设备等领域。TO252;N—Channel沟道,650V;4.5A;RDS(ON)=2100mΩ@VGS=10V,VGS=±30V;Vth=2.5~5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
FDD3N50NZTM-VB商品编号
C725026商品封装
TO-252-2包装方式
编带
商品毛重
0.493克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.8Ω@10V,4.5A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | - | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
输入电容(Ciss@Vds) | - | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - |
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