商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 45V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF |
商品特性
- US5U35在单个封装中集成了P沟道MOSFET和肖特基势垒二极管
- 高速开关，低导通电阻
- 内置低VF肖特基势垒二极管
- 无铅镀铅，符合RoHS标准
应用领域
- 开关