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Y2N655S
2个N沟道 耐压:60V 电流:16.2A
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- 商品型号
- Y2N655S
- 商品编号
- C723941
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.153克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 专有新型沟槽技术
- 超低米勒电荷
- RDS(ON)，典型值 = 43 mΩ（VGS = 10 V 时）
- 低栅极电荷，可将开关损耗降至最低
- 快速恢复体二极管
应用领域
- 高效 DC/DC 转换器
- 同步整流
- 电机驱动
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