UF3C065080B3

这款碳化硅场效应晶体管（SiC FET）器件基于独特的“共源共栅”电路配置，其中常开型碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）与硅金属氧化物半导体场效应晶体管（Si MOSFET）共同封装，形成常关型碳化硅场效应晶体管器件。该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替代”硅绝缘栅双极晶体管（Si IGBT）、硅场效应晶体管（Si FET）、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）或硅超结器件。该器件采用 D²PAK - 3L 封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，与推荐的 RC 缓冲器配合使用时，非常适合开关感性负载，以及任何需要标准栅极驱动的应用。

• 典型导通电阻 RDS(on),typ 为 80mΩ
• 最高工作温度为 175°C
• 出色的反向恢复性能
• 低栅极电荷
• 低固有电容
• ESD 保护，人体模型（HBM）2 级
• 极低的开关损耗（在典型工作条件下，所需 RC 缓冲器损耗可忽略不计）

• 电动汽车充电
• 光伏逆变器
• 开关模式电源
• 功率因数校正模块
• 电机驱动
• 感应加热