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UJ3C120080K3S

碳化硅场效应晶体管，采用共源共栅电路配置，标准栅极驱动，超低栅极电荷和出色反向恢复特性

品牌名称: Qorvo
商品型号: UJ3C120080K3S
商品编号: C6731596
商品封装: TO-247-3
包装方式: 管装
商品毛重: 6.1克(g)

商品参数

商品概述

这款碳化硅场效应晶体管（SiC FET）基于独特的“共源共栅”电路配置，其中常开型碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）与硅金属氧化物半导体场效应晶体管（Si MOSFET）共同封装，形成常闭型碳化硅场效应晶体管。该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替代”硅绝缘栅双极型晶体管（Si IGBT）、硅场效应晶体管（Si FET）、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）或硅超结器件。该器件采用TO - 247 - 3L封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。

商品特性

典型导通电阻RDS(on),typ为80mΩ
最高工作温度为175°C
出色的反向恢复性能
低栅极电荷
低固有电容
静电放电（ESD）保护：人体模型（HBM）2级和带电器件模型（CDM）C3级

应用领域

电动汽车充电
光伏逆变器
开关模式电源
功率因数校正模块
电机驱动
感应加热

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	类型	N沟道
	漏源电压(Vdss)	1.2kV
	连续漏极电流(Id)	33A
	耗散功率(Pd)	254.2W
	阈值电压(Vgs(th))	6V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	51nC
	输入电容(Ciss)	1.5nF
	反向传输电容(Crss)	2.1pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	输出电容(Coss)	100pF
	导通电阻(RDS(on))	100mΩ