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TPH3206PSB
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@8V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 81W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 720pF@480V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF@480V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
TPH3206PSB 650V、150mΩ氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）是一款常关型器件。它结合了先进的高压GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）和低压硅MOSFET技术，具有卓越的可靠性和性能。 Transphorm GaN通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷，比硅器件提高了效率。
商品特性
- 符合JEDEC标准的GaN技术
- 对动态漏源导通电阻（RDS(on)）进行量产测试
- 稳健设计，体现在
- 本征寿命测试
- 宽栅极安全裕量
- 瞬态过压能力
- 极低的反向恢复电荷（QRR）
- 降低的交越损耗
- 符合RoHS标准且无卤封装
应用领域
-数据通信-广泛的工业领域-光伏逆变器-伺服电机
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