MX25L3255EM2I-10G

MX25L3255E是32Mb的串行闪存，内部配置为4,194,304 x 8。当处于双I/O或四I/O模式时，结构变为16,777,2...（原文此处未完整）

• 与串行外设接口兼容——模式0和模式3
• 33,554,432 x 1位结构或16,777,216 x 2位（双I/O模式）结构或8,388,608 x 4位（四I/O模式）结构，1024个相等的扇区，每个扇区4K字节
• 任何扇区可单独擦除，128个相等的块，每个块32K字节
• 任何块可单独擦除，64个相等的块，每个块64K字节
• 任何块可单独擦除
• 电源操作：读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏
• 从 -1V到Vcc +1V可承受100mA的闩锁保护
• 高性能，VCC = 2.7 ~ 3.6V
• 正常读取：50MHz
• 快速读取：1 I/O：104MHz，8个空周期；2 I/O：86MHz，2READ指令4个空周期；4 I/O：4READ指令最高104MHz；4READ操作可配置空周期数
• 快速编程时间：1.4ms（典型值）和5ms（最大值）/页（每页256字节）
• 字节编程时间：12us（典型值）
• 连续编程模式（字编程模式下自动增加地址）
• 快速擦除时间：60ms（典型值）/扇区（每扇区4K字节）；0.7s（典型值）/块（每块64K字节）；25s（典型值）/芯片
• 低功耗
• 低有源读取电流：104MHz时19mA（最大值），33MHz时10mA（最大值）
• 低有源编程电流：25mA（最大值）
• 低有源擦除电流：25mA（最大值）
• 低待机电流：80uA（最大值）
• 深度掉电电流：40uA（最大值）
• 典型100,000次擦除/编程循环
• 20年数据保留
• 输入数据格式：1字节命令代码
• 高级安全特性：BP0 - BP3块组保护；OTP WPSEL = 1时灵活的单个块保护；额外4K位安全OTP用于唯一标识符；永久锁定；读取保护功能
• 自动擦除和自动编程算法：自动擦除并验证所选扇区的数据；通过内部算法自动编程并验证所选页面的数据，该算法自动确定编程脉冲宽度（任何要编程的页面应首先处于擦除状态）
• 状态寄存器特性
• 电子识别：JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备ID；RES命令用于1字节设备ID；REMS、REMS2、REMS4命令用于1字节制造商ID和1字节设备ID
• 支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式
• SCLK输入：串行时钟输入
• SI/SIO0：双I/O模式和四I/O模式的串行数据输入或串行数据输入/输出
• SO/SIO1：双I/O模式和四I/O模式的串行数据输出或串行数据输入/输出
• WP#/SIO2：四I/O模式的硬件写保护或串行数据输入/输出
• HOLD#/SIO3：在不取消选择设备的情况下暂停设备或四I/O模式的串行数据输入/输出
• 封装：8引脚SOP（200mil）；24球TFBGA（6x8mm）
• 所有设备符合RoHS标准