MT55L256L32PF-10

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品牌名称: micron(镁光)
商品型号: MT55L256L32PF-10
商品编号: C6685679
商品封装: FBGA-165(13x15)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

ZBT SRAM系列采用高速低功耗CMOS设计，使用先进的CMOS工艺。该8Mb ZBT SRAM集成了一个512K x 18、256K x 32或256K x 36 SRAM内核，带有先进同步外围电路和一个2位突发计数器。这些SRAM针对百分之百总线利用率进行了优化，消除了读写操作转换之间的任何周转周期。所有同步输入均通过由正边沿触发单时钟输入控制的寄存器。同步输入包括所有地址、所有数据输入、片选使能以及用于轻松扩展深度的两个额外片选使能、周期开始输入、同步时钟使能、字节写使能和读写控制。异步输入包括输出使能、时钟和休眠模式使能。还有一个突发模式引脚用于选择交织或线性突发模式。由输出使能控制的数据输出由时钟的上升沿寄存。写周期宽度可为一到四个字节，由写控制输入控制。所有读、写和取消选择周期均由地址加载/突发前进输入启动。随后的突发地址可在内部控制下内部生成。突发模式的使用是可选的。允许为每个单独的读和写周期提供地址。突发周期在从基地址进行第四次访问后回绕。为实现数据总线的连续百分之百利用，流水线式ZBT SRAM使用延迟写周期。地址和写控制在片上寄存，以简化写周期。这允许自定时写周期。单独的字节使能允许写入单个字节。在字节写周期期间，字节写使能控制相应的数据引脚。周期类型只能在加载地址时定义。奇偶校验/ECC位仅在x36版本中可用。该8Mb ZBT SRAM采用+3.3V VDD电源供电，所有输入和输出均与LVTTL兼容。用户可选择2.5V或3.3V I/O版本。该器件非常适合需要高带宽和零总线周转延迟的系统。

商品特性

高频率和百分之百总线利用率
快速周期时间：6纳秒、7.5纳秒和10纳秒
单+3.3V ±5%电源
独立的+3.3V或+2.5V隔离输出缓冲器电源
先进的控制逻辑，实现最小化控制信号接口
单独的字节写控制可接地
单个读写控制引脚
时钟使能引脚，用于启用时钟和暂停操作
三个片选使能，便于深度扩展
时钟控制和寄存的地址、数据输入输出及控制信号
内部自定时、完全连贯的写操作
内部自定时、寄存的输出，无需控制输出使能
休眠模式，用于降低待机功耗
共用数据输入和输出
线性或交织突发模式
突发功能
与2Mb、4Mb和18Mb ZBT SRAM引脚/功能兼容
自动掉电
100引脚TQFP封装
165引脚FBGA封装

应用领域

高带宽系统
零总线反转延迟系统

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	8Mbit

	属性	参数值
	工作电压	3.135V~3.465V
	工作温度	0℃~+70℃
	功能特性	自动掉电功能