商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 固态继电器(可控硅输出) | |
| 触点形式 | - | |
| 过零功能 | - | |
| 通道数 | 1 | |
| 正向压降 | 1.14V | |
| 输入类型 | DC | |
| 阻断电压 | - | |
| 负载电压 | 0V~350V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 负载电流 | 130mA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 正向电流(If) | - | |
| 静态dv/dt | - | |
| 浪涌电流 | - | |
| 保持电流(Ih) | - | |
| 功能特性 | - |
商品特性
- 1 Form B 输出类型
- 低导通电阻：通过采用专有的 DSD（双扩散选择性掺杂）工艺制造的内部 MOSFET 实现。
- 5000 V 加强绝缘：输入与输出之间的内部绝缘距离超过 0.4 mm。符合 EN41003、EN60950（加强绝缘）标准。
- 控制低电平模拟信号：PhotoMOS 具有极低的闭路失调电压，能够无失真地控制低电平模拟信号。
- 高灵敏度与低导通电阻：在 5 mA 输入电流下可控制最大 0.55 A 负载电流。典型导通电阻低至 1Ω (AQY412EH)。
- 低电平关断漏电流
应用领域
- 电源
- 测量设备
- 安防设备
- 调制解调器
- 电话设备
- 电力及工厂设备
- 传感设备