2SK3714-S12-AZ
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK3714-S12-AZ
- 商品编号
- C6667966
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V,25A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W；35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.2nF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 分裂栅沟槽MOSFET技术
- 湿度敏感度等级1
- 无卤“绿色”器件
- 环氧树脂符合UL 94 V - 0可燃性等级
- 无铅涂层/符合RoHS标准（“P”后缀表示符合RoHS标准）
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