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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 350V | |
| 集电极电流(Ic) | 4A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 2000 | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)) | 2V | |
| 基极-发射极导通电压(VBE(on)) | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
2ST501T是一款高压NPN硅晶体管，采用单片特殊达林顿结构，封装为JEDEC TO - 220塑料封装。
商品特性
- 高压特殊达林顿结构
- 非常坚固的双极技术
- 高工作结温
- 高直流电流增益
应用领域
- 螺线管、继电器和电机驱动器