- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2N6059
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 集电极电流(Ic) | 12A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 750 | |
| 特征频率(fT) | 4MHz | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)) | 2.8V | |
| 基极-发射极导通电压(VBE(on)) | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
2N6059是一款采用TO-3封装的硅NPN达林顿晶体管，适用于通用放大器和低频开关应用。
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