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2N6297
达林顿互补硅功率晶体管，适用于通用放大器、低频开关和驱动应用，内置基极 - 发射极分流电阻，高直流电流增益，低集电极 - 发射极饱和电压
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- 2N6297
- 商品编号
- C6667676
- 商品封装
- TO-66
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 19.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | PNP | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 集电极电流(Ic) | 4A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V；3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 3000 | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)) | 4V | |
| 基极-发射极导通电压(VBE(on)) | 2.8V | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ |
商品概述
专为通用放大器、低频开关和锤击驱动器应用而设计。
商品特性
- 高直流电流增益 - h_FE = 3000（典型值），I_c = 2.0 Adc
- 低集电极 - 发射极饱和电压 - V_CE(sat) = 2.0 Vdc（最大值），I_C = 2.0 Adc
- 集电极 - 发射极维持电压：V_CEO(sus) = 60 Vdc（最小值） - 2N6294、2N6296；= 80 Vdc（最小值） - 2N6295、2N6297
- 内置基极 - 发射极并联电阻的单片结构
应用领域
- 通用放大器
- 低频开关
- 锤击驱动器
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